通过等离子体辅助的原子层沉积,自我组装的半孔的纳米厚的合体孔密封
Ying-Bing Jiang1, Nanguo Liu, Henry Gerung
1Department of Chemical and Nuclear Engineering, University of New Mexico, Albuquerque, New Mexico 87131, USA.
Journal of the American Chemical Society
|August 24, 2006
概括
等离子体辅助原子层沉积 (ALD) 限制了表面反应,防止孔隙透. 这种技术可以对先进的材料和薄膜进行精确的表面修饰和孔径缩小.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面化学 表面化学
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 传统的原子层沉积 (ALD) 透到多孔基板,限制了表面控制.
- 控制ALD透对于诸如密封低k介电膜等应用至关重要.
研究的目的:
- 开发一个空间控制的ALD过程.
- 为了将ALD限制在多孔材料的直接表面.
- 为了实现膜形成的精确孔径缩小.
主要方法:
- 使用了等离子体辅助原子层沉积 (ALD).
- 使用的ALD前体只有在血触发时才有反应.
- 通过控制等离子体辐射区域来空间定义ALD.
主要成果:
- 实现ALD仅限于基板表面,避免毛孔透.
- 证明了合规的nm尺度层沉积用于密封多孔薄膜.
- 在中孔性材料中,呈现出逐渐的孔径缩小.
结论:
- 由等离子激发的ALD提供了对沉积的精确空间控制.
- 这种方法为密封多孔低k介电膜提供了解决方案.
- 可调节的孔径缩小,用于创建先进的膜.


