在导电金属片上合成单壁和双壁碳纳米管森林
Tatsuki Hiraoka1, Takeo Yamada, Kenji Hata
1Research Center for Advanced Carbon Materials, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan.
Journal of the American Chemical Society
|October 13, 2006
概括
研究人员开发了一种高效的方法,用于生长单壁碳纳米管 (SWNT) 和双壁碳纳米管 (DWNT),使用基于的合金薄膜. 这一突破为大规模生产和纳米电子设备的集成提供了具有成本效益的途径.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 化学 化学 化学
背景情况:
- 碳纳米管 (CNTs) 是具有各种应用的关键纳米材料.
- 针对特定的CNT类型,如单壁 (SWNT) 和双壁 (DWNT) 的高效合成仍然是一个挑战.
- 目前的方法往往产生混合的多壁碳纳米管 (MWNTs),限制了他们的使用.
研究的目的:
- 报告SWNT和DWNT的高效增长方法.
- 为了确定选择性CNT合成的最佳基质.
- 为了实现大量生产和集成SWNTs/DWNTs.
主要方法:
- 在导电金属上增长SWNT和DWNT.
- 使用基于Ni的合金,特别是那些含有Cr或Fe的合金,作为基板.
- 在不同金属 (Ni,Fe,Ni基合金) 上对CNT生长的比较分析.
主要成果:
- 在基于Ni的合金薄膜 (用Cr或Fe) 上实现SWNT和DWNT高效增长.
- 与Cr或Fe的Ni基合金作为选择性SWNT/DWNT合成的优秀基材.
- 纯或铁的生长导致了MWNT的显著比例,与合金不同.
结论:
- 基合金薄膜 (含Cr或Fe) 是控制SWNT和DWNT生长的优质基质.
- 这种方法为大量生产SWNT/DWNT森林提供了经济的途径.
- 这些发现有助于将CNT直接集成到纳米电子设备中,包括现场辐射显示器.
