表面转移的p型对表轴石墨烯的兴奋剂
Wei Chen1, Shi Chen, Dong Chen Qi
1Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, Singapore 117542, Singapore. phycw@nus.edu.sg
Journal of the American Chemical Society
|August 2, 2007
概括
通过一种新的表面转移兴奋剂方法,可以使用四四亚诺二甲基 (F4-TCNQ) 来进行p型兴奋剂的epitaxial石墨烯. 这项技术提供了一种简单,有效的方式来修改纳米电子的石墨烯.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 在碳化 (SiC) 上生长的Epitaxial石墨烯是电子应用的一个有前途的材料.
- 控制电子属性,如兴奋剂类型,对于设备制造至关重要.
- 现有的兴奋剂方法可能是复杂的或破坏性的.
研究的目的:
- 为了研究一个新的表面转移对表石墨烯的兴奋剂方案.
- 为了证明四-四亚诺基诺二甲 (F4-TCNQ) 作为表面剂的有效性.
- 探索这种方法在纳米电子学中的潜力.
主要方法:
- 在6H-SiC(0001) 上增长了表轴石墨烯.
- 使用电子接受器F4-TCNQ.表面修改.
- 基于同步的高分辨率光辐射光谱 (HR-PES) 用于电子结构分析.
主要成果:
- 已经成功地实现了表轴石墨烯的p型兴奋剂.
- 观察到电子从石墨烯转移到被吸附的F4-TCNQ的证据.
- F4-TCNQ表面修饰作为一种有效的p型剂.
结论:
- 使用像F4-TCNQ这样的分子受体进行表面修饰是石墨烯兴奋剂的可行策略.
- 这种新的转移兴奋剂计划是简单的,有效的,非破坏性的.
- 这种方法对未来的纳米电子应用具有前途,使用化表轴石墨烯.
