:Ge{111) -c{2 x 8}

Science (New York, N.Y.)
|January 10, 1992
PubMed
概括

选择性地与半导体表面的紧张键反应,作为一个探针来揭示表面结构. 这种方法证实了{111) -c{2 x 8}表面休息层的散体结构.

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