通过化学功能化的GaAs纳米晶体的被动化
Matthew C Traub1, Julie S Biteen, Bruce S Brunschwig
1Division of Chemistry and Chemical Engineering, 210 Noyes Laboratory, 127-72, Beckman Institute and Kavli Nanoscience Institute, California Institute of Technology, 1200 E. California Boulevard, Pasadena, California 91125, USA.
Journal of the American Chemical Society
|January 4, 2008
概括
控制化 (GaAs) 纳米晶体的表面特性是它们应用的关键. 一种新的湿化学方法有效地使表面状态无能化,增强光发光,提高半导体性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 纳米晶体半导体的有效使用取决于控制表面的化学和电气特性.
- 半导体纳米晶体的表面状态可能会阻碍它们的性能.
研究的目的:
- 开发一种化学功能化程序,使化 (GaAs) 纳米晶体的表面状态被动化.
- 为了增强GaAs纳米晶体的带间隙光发光 (PL).
主要方法:
- 氧化物覆盖的GaAs纳米晶体使用盐酸 (HCl) 来产生Cl终结的纳米晶体.
- 用水或硫化对Cl终结的GaAs纳米晶体的功能化.
- 使用X射线光电子谱学 (XPS) 进行表面分析.
- 在真空下对功能化纳米晶体进行化.
主要成果:
- 在Cl,水和硫化物处理后,XPS揭示了含有As0的富含As的表面.
- 化水终结的纳米晶体去除了As0并形成了氧化封顶层.
- 化纳米晶体显示显著增强带边光发光 (PL).
结论:
- 这两步的湿化学处理有效地使GaAs纳米晶体的表面状态被动化.
- 被动化导致带边 PL 显著改善,这表明半导体性能得到了提高.
