在Si (100) 上进行分子组合的演示,用于CMOS兼容的基于分子的电子设备
Nadine Gergel-Hackett1, Christopher D Zangmeister, Christina A Hacker
1Semiconductor Electronics Division, Electronics and Electrical Engineering Laboratory, and Chemical Science and Technology Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA.
Journal of the American Chemical Society
|March 8, 2008
概括
这项研究表明,紫外线促进了基对分子电子的 (100) 表面的附着. 这些自组装单层使得与CMOS技术兼容的设备的制造成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面化学 表面化学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- (100) 表面对于微电子技术至关重要.
- 开发用于功能化表面的方法对于先进的电子设备至关重要.
- 分子电子提供了小型化和新型功能的潜力.
研究的目的:
- 为了研究紫外线促进的基对Si (100) 表面的直接附着.
- 为了评估Si (100) 上自组装单层 (SAM) 的质量.
- 评估将基于Si (100) 的分子设备与CMOS技术集成的潜力.
主要方法:
- 紫外线促进基与酒精和醇连接剂的直接附着.
- 使用富里埃变换红外光谱法 (FTIR) 进行了表征.
- 使用光谱圆测量进行表征.
- 使用X射线光发射谱学 (XPS) 进行表征.
- 基于Si (100) 的电子设备的制造和电气特性.
主要成果:
- 实现了紫外线促进的基对Si (100) 表面的直接附着.
- 在Si (100) 上的SAM显示质量,覆盖范围和基质氧化与Si (111) 上的SAM相似.
- 制造的基于Si (100) 的设备表现出分子依赖的电特性.
结论:
- (100) 是组装高质量的分子单层的有效基质.
- 封闭的分子电子设备可以在Si (100) 上制造.
- 这些发现支持将分子设备与现有的CMOS技术集成在一起.
