在石英基板上长长的单壁碳纳米管的高密度平行阵列的生长
Lei Ding1, Dongning Yuan, Jie Liu
1Department of Chemistry, Duke University, Durham, North Carolina 27708, USA.
Journal of the American Chemical Society
|April 2, 2008
概括
我们开发了一种化学蒸气沉积 (CVD) 方法,在石英上长出长长的,对齐的单壁碳纳米管 (SWNT) 阵列,而无需回火. 这种技术实现了高密度,并提供了纳米管生长机制的见解.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 对齐的碳纳米管阵列对于先进的电子和光学设备至关重要.
- 以前在石英上种植对齐的纳米管的方法通常需要高温或复杂的后处理步骤.
研究的目的:
- 开发一种简化的化学蒸气沉积 (CVD) 方法,用于在ST切割石英上制造高密度,对齐的单壁碳纳米管 (SWNT) 阵列.
- 调查这些对齐的SWNT的生长机制和终止.
主要方法:
- 使用CVD工艺,使用铜催化剂和乙醇作为碳源.
- 在稳定的温度下直接在ST切割的石英基板上生长SWNT,无需热.
主要成果:
- 实现了高密度 (>50纳米管/μm) 和毫米长的对齐SWNT阵列.
- 在不需要热化的情况下,在ST石英上成功生长,简化了制造过程.
- 提供了支持"尖端增长"机制的直接证据,并确定了导致增长终止的因素.
结论:
- 开发的CVD方法提供了一条有效的途径,在石英上生产高质量的对齐SWNT阵列.
- 这些发现促进了对SWNT增长动态的理解,特别是尖端增长机制和增长终止.
- 这种技术对基于纳米管的设备的可扩展制造具有前景.
