用于薄膜晶体管的自排序,对齐的纳米管网络
Melburne C LeMieux1, Mark Roberts, Soumendra Barman
1Department of Chemical Engineering, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA.
Science (New York, N.Y.)
|July 5, 2008
概括
研究人员开发了一种方法来对准和分类用于电子的单壁碳纳米管 (SWNT). 这种技术可以创建高性能SWNT网络场效应晶体管,具有可控制的性能和高开/关比.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 电子工程 电子工程
背景情况:
- 单壁碳纳米管 (SWNT) 具有独特的电子特性.
- 通过电子类型有效分离和受控对齐对于可重复的SWNT电子产品至关重要.
研究的目的:
- 开发SWNT网络场效应晶体管 (FET) 的制造方法.
- 为了实现SWNTs的同时奇拉性分离,密度控制和对齐.
- 为了提高SWNT网络的开/关比和拓控制.
主要方法:
- 通过溶液沉积制造SWNT网络FET.
- 使用旋转辅助对齐和表面化学修改.
- 使用微拉曼光谱分析SWNT丰富和电子类型.
主要成果:
- 实现了具有可控制拓的SWNT网络FET和高达900,000的开/关比.
- 通过表面相互作用证明了基于电子类型的SWNT的自我排序.
- 根据不同的表面功能调整SWNT密度和对齐.
结论:
- 开发的方法允许单步制造排序和对齐的SWNT网络.
- 表面化学在控制SWNT吸附和电子性质方面发挥着关键作用.
- 这种方法有助于创建基于SWNT的高性能电子设备.
