Jove
Visualize
联系我们

相关实验视频

Updated: Jul 2, 2026

Fabrication of a Solution-gated Indium-Tin-Oxide-based One-piece Transistor Enabling Sensitive Biosensing
10:45

Fabrication of a Solution-gated Indium-Tin-Oxide-based One-piece Transistor Enabling Sensitive Biosensing

Published on: August 29, 2025

高性能解决方案加工的氧化薄膜晶体管.

Hyun Sung Kim1, Paul D Byrne, Antonio Facchetti

  • 1Department of Chemistry and Materials Research Center, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208, USA.

Journal of the American Chemical Society
|September 2, 2008
PubMed
概括
此摘要是机器生成的。

相关概念视频

您也可能阅读

相关文章

通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。

排序
Same author

Static Otolith Signals Reflect Clinical Course in Acute Vestibular Neuritis.

Clinical otolaryngology : official journal of ENT-UK ; official journal of Netherlands Society for Oto-Rhino-Laryngology & Cervico-Facial Surgery·2026
Same author

Hierarchical hydrogen bonds enable stretchable, self-healing, and high-mobility polymer semiconductors.

National science review·2026
Same author

Implications of Solvent Vapor Annealing on Crystallinity and Orientation of Covalent Organic Framework Thin Films.

ACS omega·2026
Same author

Absence of AMPK expression is an independent risk factor for stage II/III colorectal cancer recurrence.

Current problems in surgery·2026
Same author

Neurosyphilis presenting as ocular motor nerve palsy: two cases and a systematic literature review.

Neurological sciences : official journal of the Italian Neurological Society and of the Italian Society of Clinical Neurophysiology·2026
Same author

Broadly applicable hydrophilic additive enhances electrochemical transistor function.

Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America·2026
JoVE
x logofacebook logolinkedin logoyoutube logo
关于 JoVE
概览领导团队博客JoVE 帮助中心
作者
出版流程编辑委员会范围与政策同行评审常见问题投稿
图书馆员
用户评价订阅访问资源图书馆顾问委员会常见问题
研究
JoVE JournalMethods CollectionsJoVE Encyclopedia of Experiments存档
教育
JoVE CoreJoVE BusinessJoVE Science EducationJoVE Lab Manual教师资源中心教师网站
使用条款与条件
隐私政策
政策

高性能氧化物 (In2O3) 薄膜晶体管 (TFT) 使用旋转涂层方法开发. 这些In2O3 TFT表现出高电子流动性和低工作电压,使其适用于先进的电子应用.

科学领域:

  • 材料科学 材料科学 材料科学
  • 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
  • 纳米技术纳米技术

背景情况:

  • 氧化 (In2O3) 是用于薄膜晶体管 (TFT) 的一个有前途的n型半导体.
  • 在In2O3 TFT中实现高电子流动性和低工作电压对于高速电子应用至关重要.
  • 控制薄膜微观结构和方向是优化半导体设备性能的关键.

研究的目的:

  • 在各种介电层上制造In2O3薄膜晶体管 (TFT).
  • 为了研究前体溶液组成对In2O3膜微观结构和设备性能的影响.
  • 为了实现基于In2O3的TFT的高电子流动性和高效运行.

主要方法:

  • 使用前体溶液的旋转涂层制造In2O3薄膜晶体管 (TFT).
  • 前体溶液包括甲氧乙醇中的化 (InCl3) 和乙醇胺 (EAA).
  • 利用各种介电材料,包括二氧化 (SiO2) 和自组装纳米介电材料 (SAND).

主要成果:

  • 优化的In2O3薄膜微结构,具有高流动性的In2O3 00 L方向,在特定的基础范围内实现:In3+摩尔比率范围.
  • 在n+-Si/SAND/In2O3/Au装置中测量了高达大约44cm2V(-1) s(-1) 的电子流动性.

更多相关视频

The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
12:32

The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors

Published on: May 24, 2020

相关实验视频

Last Updated: Jul 2, 2026

Fabrication of a Solution-gated Indium-Tin-Oxide-based One-piece Transistor Enabling Sensitive Biosensing
10:45

Fabrication of a Solution-gated Indium-Tin-Oxide-based One-piece Transistor Enabling Sensitive Biosensing

Published on: August 29, 2025

The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
12:32

The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors

Published on: May 24, 2020

  • 设备显示了高开/关电流比 (Ion/Ioff) 约为10~6) 和工作电压低于5V.

    • 结论:

    • 具有优化的前体比率的旋转涂层方法使得高性能In2O3 TFTs的制造成为可能.
    • 实现的电子移动性和低工作电压对于高速电子应用非常令人鼓舞.
    • 自组装纳米电介质 (SAND) 为高性能In2O3 TFTs提供了合适的平台.