在没有催化剂的情况下,在低温下在无机基板上垂直对齐的ZnO纳米线阵列的模式生长
Sheng Xu1, Yaguang Wei, Melanie Kirkham
1School of Material Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA.
Journal of the American Chemical Society
|October 17, 2008
概括
我们开发了一种方法,以精确的控制来生长对齐的氧化 (ZnO) 纳米线阵列. 这种技术可以在电子和能源采集方面实现多种应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 对齐的纳米线阵列对于先进的电子和能源设备至关重要.
- 以前的方法通常需要催化剂或高温,限制了基板的兼容性和可扩展性.
研究的目的:
- 开发一种无催化剂的方法,用于生长高度控制的,对齐的氧化 (ZnO) 纳米线阵列.
- 为了证明这种方法在低温下在常见的无机基板上的可行性.
主要方法:
- 结合电子光束光刻技术,用低温水热生长过程 (<100°C) 进行图案设计.
- 在 (Si) 和化 (GaN) 等基板上实现ZnO纳米线的规律和对齐的生长.
主要成果:
- 显示对纳米线尺寸,方向,维度和均性的高度控制.
- 在不需要催化剂的情况下成功生长了对齐的ZnO纳米线阵列.
结论:
- 开发的方法为制造有序ZnO纳米线结构提供了一种多功能和可扩展的方法.
- 这种技术可以将ZnO纳米线整合到各种应用中,包括传感器阵列,光子晶体和纳米发电机.


