抑制生长以增强薄膜化学蒸气沉积中的合体覆盖
Navneet Kumar1, Angel Yanguas-Gil, Scott R Daly
1Department of Materials Science and Engineering, Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801, USA.
Journal of the American Chemical Society
|December 11, 2008
概括
添加一种增长抑制剂,1,2-二甲基乙 (dme),在低温化学蒸汽沉积二化物 (TiB2) 的过程中显著改善了薄膜的整体性. 这种方法增强了前体扩散,以更好地覆盖复杂结构中的膜.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
- 薄膜沉积的情况
背景情况:
- 实现符合性薄膜沉积对于先进的微电子和纳米结构制造至关重要.
- 低温化学蒸汽沉积 (CVD) 过程往往难以保持一致性,尤其是在具有高比例的特征中.
- 二化物 (TiB2) 是一种具有各种应用的理想性质的材料,但其通过CVD的合规沉积存在挑战.
研究的目的:
- 调查提高低温CVD沉积的TiB2薄膜合规性的方法.
- 探索生长副产品作为控制心血管疾病过程的潜在抑制剂的作用.
- 了解负责提高片合规性的潜在机制.
主要方法:
- 使用单一来源的前体,Ti (BH4) 3 (dme) 的低温化学蒸汽沉积 (CVD).
- 在CVD环境中引入1,2-二甲基乙 (dme),这是TiB2生长反应的已知副产品.
- 分析了dme添加对薄膜符合性和生长动力学的影响.
主要成果:
- 添加dme显著提高了TiB2膜的合规性.
- 增强的合规性归因于增长速度的降低,导致前体粘附概率的降低.
- 提出了两种抑制机制:表面部位阻断和勒沙特利尔效应.
结论:
- 1,2-二次氧乙 (dme) 作为一种有效的增长抑制剂,可以改善TiB2薄膜在低温CVD中的合规性.
- 使用反应副产品作为抑制剂的策略为控制心血管疾病过程和实现符合性涂层提供了可行的途径.
- 这种方法有利于在复杂的几何形状中沉积统一的薄膜,这对于纳米技术和微电子非常重要.
