对于反应Si纳米线具有进一步的有机功能的稳定支架,同时保持表面位点的Si-C被动化
Ossama Assad1, Sreenivasa Reddy Puniredd, Thomas Stelzner
1The Department of Chemical Engineering and Russell Berrie Nanotechnology Institute, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel.
Journal of the American Chemical Society
|December 26, 2008
概括
纳米线 (Si NWs) 用共价支架进行了修改,以提高功能. 这些经过修改的Si NWs与其他功能化的Si NWs相比,具有更高的氧化抗性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 纳米线 (Si NW) 在纳米电子和光子学中至关重要.
- 表面功能化是定制Si NW属性的关键.
- 现有的功能化方法可能缺乏稳定性或最佳覆盖范围.
研究的目的:
- 为Si NW修改开发一种新的共价支架.
- 为了研究SiC键形成对SiNW属性的影响.
- 为了比较不同功能的Si NWs的氧化阻力.
主要方法:
- 使用SiC键形成对Si NWs进行共价修饰.
- 实现Si顶部站点的几乎完全覆盖.
- 随后的功能化脚手架Si NWs. 的后续功能化.
- 改性Si NWs的氧化抵抗测试.
主要成果:
- 通过SiC债券成功创建了通过共价支架的Si NW.
- 几乎完全覆盖了Si的顶部站点.
- 与CH(3) 或CH(3) CC功能化Si NWs相比,在CH(3) CHCHSi NWs中显示出更高的氧化抵抗.
结论:
- 共价SiC支架为Si NW功能化提供了一个强大的途径.
- 在CH(3)CHCHSiNWs表现出增强的稳定性和抗氧化性.
- 这种方法为高级Si NW应用提供了一条途径.
