在Al-doped 4H-SiC中观察玻璃状铁磁
Bo Song1, Huiqiang Bao, Hui Li
1Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 603, Beijing 100190, China.
Journal of the American Chemical Society
|January 15, 2009
概括
稀释的磁性半导体,如Al-doped 4H-SiC,表现出玻璃般的铁磁性. 这种现象源于sp(2) /sp(3) 配置和结构缺陷的综合作用,证明非磁性系统的内在铁磁性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 稀释磁性半导体 (DMS) 是在自旋电子学中具有潜在应用的材料.
- 了解铁磁在非磁性宿主材料中的起源对于开发新的磁性设备至关重要.
研究的目的:
- 调查配碳化 (Al-doped 4H-SiC) 中玻璃性铁磁性的存在和起源.
- 探索这种材料系统中电子配置,结构缺陷和磁性排序之间的关系.
主要方法:
- 在Al-doped4H-SiC中,对玻璃状铁磁的实验性观察.
- 作为铁磁主义起源的sp(2) /sp(3) 配置和结构缺陷系数的理论建议.
主要成果:
- 在化4H-SiC中成功观察到玻璃铁磁性.
- 电子配置和结构缺陷的sp(2) /sp(3) 组合效应被认为是铁磁的机制.
结论:
- 这项研究证实了非磁性sp系统中固有的铁磁性的存在.
- 化4H-SiC因其观察到的铁磁性而成为自旋电子应用的有希望的材料.


