在非常高压下,单元分子半导体[Ni(ptdt) 2]的金属化
Hengbo Cui1, James S Brooks, Akiko Kobayashi
1Department of Physics and National High Magnetic Field Laboratory, Florida State University, Tallahassee Florida 32310, USA.
Journal of the American Chemical Society
|April 23, 2009
概括
电电阻测量显示,分子半导体[Ni(ptdt) ((2) ]的半导体性高达17.9 GPa. 压力诱导的金属化开始于18.9 GPa,在19.9 GPa时观察到完全的金属行为.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 固态化学 固态化学
背景情况:
- 单元分子半导体提供可调节的电子特性.
- [Ni(ptdt) ((2) ]是一种分子半导体,具有电子应用的潜力.
- 了解压力诱导的相变对于材料设计至关重要.
研究的目的:
- 在高压下研究[Ni(ptdt) ((2)) ]的电阻.
- 为了确定[Ni(ptdt) ((2) ]的压力诱导金属化点.
- 探索分子半导体中的电子相位过渡.
主要方法:
- 四探头电阻力测量.
- 高压实验使用钻石细胞 (DAC).
- 一种改进的方法来最大限度地减少单轴压力效应.
主要成果:
- [Ni(ptdt) ((2)) ]的半导体行为持续到17.9 GPa.
- 在18.9 GPa时启动的压力诱导金属化.
- 在19.9GPa时观察到完整的金属行为,稳定到1K.
结论:
- [Ni(ptdt) ((2) ]表现出压力诱导的半导体到金属的过渡.
- 高压可以显著改变分子半导体的电子特性.
- 这些发现为分子材料在极端条件下的行为提供了洞察力.
