横向ZnO纳米线阵列的成长模式
Sheng Xu1, Yong Ding, Yaguang Wei
1School of Material Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA.
Journal of the American Chemical Society
|May 1, 2009
概括
研究人员开发了一种制造精确控制的氧化 (ZnO) 纳米线阵列的方法. 这种技术可以在传感器和电子产品中实现先进的应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 氧化 (ZnO) 纳米线是有前途的纳米材料,因为它们具有独特的压电,半导体和光学特性.
- 控制ZnO纳米线阵列的制造对于实现其在各种电子和光子设备中的潜力至关重要.
研究的目的:
- 开发一种新的制造方法,用于有图案的水平ZnO纳米线阵列.
- 为了实现对ZnO纳米线阵列的维度,定向和均性的高度控制.
主要方法:
- 这项研究采用了电子束光刻和低温水热分解的组合.
- 电子束光刻法用于精确的图案设计,随后进行水热分解以增长纳米线.
主要成果:
- 成功制造有图案的水平ZnO纳米线阵列,对尺寸和方向有很好的控制.
- 在制造的数组中显示出高度的统一性.
- 该方法可以适应大规模制造.
结论:
- 开发的方法为制造ZnO纳米线阵列提供了一种可靠和可控制的方法.
- 这项技术为开发基于ZnO纳米线的设备,如传感器,光子晶体和纳米发电机开辟了新的途径.
更多相关视频
08:07Ultrahigh Density Array of Vertically Aligned Small-molecular Organic Nanowires on Arbitrary Substrates
Published on: June 18, 2013
10:39Preparation of ZnO Nanorod/Graphene/ZnO Nanorod Epitaxial Double Heterostructure for Piezoelectrical Nanogenerator by Using Preheating Hydrothermal
Published on: January 15, 2016