半导体纳米棒上的au增长:光诱导与热增长机制相比
Gabi Menagen1, Janet E Macdonald, Yossi Shemesh
1Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Jerusalem 91904, Israel.
Journal of the American Chemical Society
|November 10, 2009
概括
研究人员研究了半导体纳米棒上的黄金生长,确定了热和光诱导的机制. 降低温度和使用照明有选择地沉积黄金,使光电子和催化新混合纳米合成.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 了解半导体纳米棒上的黄金生长机制对于开发先进纳米材料至关重要.
- 控制纳米粒子沉积是创建功能混合纳米结构的关键.
研究的目的:
- 在硫化物 (CdS) 和化/硫化物 (CdSe/CdS) 纳米棒上研究黄金生长机制.
- 探索温度和照明对黄金沉积的影响.
- 开发用于异型半导体金属纳米棒的选择性合成方法.
主要方法:
- 在不同的温度和照明条件下,研究了CdS和CdSe/CdS纳米棒上的黄金生长.
- 研究了表面氨基配体 (如C18,C12,试基胺) 在控制热生长中的作用.
- 分析了光诱导沉积对纳米石材形态和方向的影响.
主要成果:
- 确定了两个相互竞争的机制:热生长 (缺陷介导,在低温下被抑制) 和光诱导的生长 (选择性末端沉积).
- 证明较低的温度和特定的连接物链长度可以抑制热缺陷的生长.
- 显示光诱导的增长选择性地沉积黄金在富含硫的面部,创建异型纳米棒.
结论:
- 通过控制照明和降低温度,可以实现单个金尖半导体纳米棒的选择性合成.
- 不同类型的半导体-金属混合体在自组装,光催化和光电子领域的应用方面具有前景.
- 表面连接体特性显著影响纳米棒上的热金生长动力学.
