通过低温H2O辅助的原子层沉积,在Si{100}上生长出具有高质量的接口的晶体Gd2O3薄膜
Andrian P Milanov1, Ke Xu, Apurba Laha
1Inorganic Chemistry II, Ruhr-University Bochum, 44801 Bochum, Germany.
Journal of the American Chemical Society
|December 17, 2009
概括
研究人员开发了一种新的以水为基础的原子层沉积 (ALD) 方法,用于高质量的氧化物 (Gd2O3) 薄膜. 这一突破为先进材料应用提供了增强的生长率和优良的电特性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 原子层沉积 (ALD) 对于薄膜制造至关重要.
- 开发新的前体是推动ALD过程的关键.
- 加多氧化物 (Gd2O3) 是一种在电子领域具有潜力的材料.
研究的目的:
- 报告第一个基于水的Gd2O3薄膜的ALD.
- 为了利用一种新的加多瓜尼丁酸前体用于ALD.
- 为了评估沉积膜的质量和特性.
主要方法:
- 采用基于水的原子层沉积 (ALD) 技术.
- 使用了工程化同质感的加多瓜尼丁酸前体[Gd(DPDMG) 3].
- 在没有预处理的情况下,沉积在基板上的Gd2O3薄膜.
主要成果:
- 实现了表面控制的,自我限制的Gd2O3.3沉积.
- 证明了真正ALD过程的特征明显的增长率.
- 获得了高质量的薄膜,具有出色的基板接口和有前途的电气性能.
结论:
- 这种新型的加多瓜尼丁酸前体使得Gd2O3.3的水性ALD有效.
- 这种方法为Gd2O3薄膜沉积提供了高质量,高性价比的途径.
- 由此产生的片显示出各种电子应用的潜力.
