在Au/Si岛屿上,从一个分子化合物中制成的Epitaxial CdTe棒
Kibriya Ahmad1, Mohammad Afzaal, Jamie S Ritch
1The School of Chemistry and Materials Science Centre, The University of Manchester, Oxford Road, Manchester, M13 9PL, UK.
Journal of the American Chemical Society
|April 15, 2010
概括
不寻常的 telluride (CdTe) 棒在/二氧化和金涂表面上使用化学蒸汽沉积形成. 这项研究探讨了潜在的电子应用的新材料合成.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 化学合成 化学合成
背景情况:
- 半导体纳米结构对于先进的电子设备至关重要.
- telluride (CdTe) 纳米结构的受控合成是一个活跃的研究领域.
- 表面特性显著影响纳米材料的生长和形态.
研究的目的:
- 为了研究 Telluride (CdTe) 纳米棒的形成.
- 探索基质类型 (Si/SiO(2) 与金Si/SiO(2) 对CdTe生长的影响.
- 报告一种用于CdTe纳米合成的新型化学蒸气沉积 (CVD) 方法.
主要方法:
- 化学蒸汽沉积 (CVD) 用于材料合成.
- 使用的前体是二 (Cd (TeP (i) Pr (ii)) N (ii)) 二 (bis) 二 (diisopropyl) 胺) (Cd (TeP (i) Pr (ii)) 二) 二).
- 在赤裸的Si/SiO(2) 和金的Si/SiO(2) 基板上研究了生长.
主要成果:
- 成功地形成了不寻常的CdTe纳米棒.
- 在两种基质类型之间观察到CdTe生长的形态差异.
- 在CVD过程中,得到了精确定义的CdTe纳米基结构.
结论:
- 化学蒸汽沉积Cd[{TeP}i) Pr{2}) {2}N{2}是合成CdTe纳米棒的有效方法.
- 基板工程 (例如,使用金涂层) 可以影响沉积的CdTe的形态.
- 这项研究表明,生产CdTe纳米结构的可行途径具有在光电子学中的潜在应用.
