在10nm以下的纳米线无种子生长
Richard G Hobbs1, Sven Barth, Nikolay Petkov
1Materials and Supercritical Fluids Group, Department of Chemistry and the Tyndall National Institute, University College Cork, Cork, Ireland.
Journal of the American Chemical Society
|September 15, 2010
概括
我们报告了低至6纳米的 (Ge) 纳米线的无催化剂增长. 这些高度结晶的Ge纳米线被包裹在一个被动化无形外中,通过合成温度实现控制直径.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 德国 (Ge) 纳米线的无催化剂合成具有挑战性.
- 控制纳米线直径和表面特性对于应用至关重要.
研究的目的:
- 开发一种方法,使高晶度的Ge纳米线在没有金属催化剂的情况下自播生长.
- 为了研究合成温度和纳米线直径之间的关系.
主要方法:
- 使用hexakis ((trimethylsilyl) digimane前体合成Ge纳米线.
- 纳米线的结晶性,直径,面积比和表面性能的表征.
- 对合成温度对纳米线尺寸的影响分析.
主要成果:
- 实现了Ge纳米线的自我种植生长,平均直径仅为6nm.
- 证明了高的高比例 (>1000) 和均的核心直径.
- 观察到反向纳米线半径和合成温度之间的线性关系,由尺寸依赖的融模型解释.
- 确定了一种无形外,使纳米线表面被动化.
结论:
- 晶体Ge纳米线的无催化剂合成是可行的使用hexakis ((trimethylsilyl) digmane.
- 合成温度是控制Ge纳米线直径的关键参数.
- 无形外提供表面被动化,并隔离种子颗粒.
