局部电流映射和减少氧化石墨烯的模式绘制
Jeffrey M Mativetsky1, Emanuele Treossi, Emanuele Orgiu
1Nanochemistry Laboratory, ISIS-CNRS 7006, Université de Strasbourg, 8 allée Gaspard Monge, 67000 Strasbourg, France.
Journal of the American Chemical Society
|October 8, 2010
概括
导电性原子力显微镜揭示了石墨烯氧化物可以被模式化为导电路径. 这项研究支持石墨烯.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 石墨烯氧化物 (GO) 是一个有前途的材料,但其绝缘性阻碍了应用.
- 开发方法从GO制造导电石墨烯对于电子设备至关重要.
研究的目的:
- 为了研究来自GO的石墨烯的结构和电气特性.
- 展示一种在绝缘GO上设计导电石墨烯通路的方法.
- 使用减少的GO通道制造和描述晶体管.
主要方法:
- 使用导电原子力显微镜 (C-AFM) 分析石墨烯结构和电性质.
- 采用AFM-tip诱导的电化学还原工艺来模拟GO.
- 制造和测试具有减少GO通道的晶体管.
主要成果:
- 在几层石墨烯薄膜中测量了均的大电流,表明了作为透明电极的潜力.
- 使用C-AFM.很容易检测到石墨烯中的电断续续 (缺陷).
- 与单层相比,多层石墨烯薄膜的每层导电率较高.
- 在绝缘GO上,AFM-tip减小成功地模拟了导电路径.
- 减少GO通道的晶体管显示出两极运输和电流密度的8级增加.
结论:
- 来自GO的石墨烯具有优良的电性能,适合透明电极.
- AFM-tip诱导的减速是一种有效的技术,用于在GO上创建导电模式.
- 减少的GO通道可以制造具有可调节电子特性的高性能晶体管.
