在用于光电子设备的ZnO涂层石墨烯层上生长的可转移的GaN层
Kunook Chung1, Chul-Ho Lee, Gyu-Chul Yi
1National Creative Research Initiative Center for Semiconductor Nanorods and Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul 151-747, South Korea.
Science (New York, N.Y.)
|October 30, 2010
概括
研究人员在石墨烯上开发了可转移化 (GaN) 薄膜和发光二极管 (LED). 这一突破使灵活的电子应用成为可能,因为它可以轻松地转移到各种基板上.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 化 (GaN) 薄膜对于光电子设备至关重要.
- 当前的制造方法往往限制了基板的灵活性和可转移性.
- 石墨烯的独特特性为新的设备架构提供了潜力.
研究的目的:
- 开发一种制造可转移的GaN薄膜和LED的方法.
- 为了研究在石墨烯上培养的GaN薄膜的光学特性.
- 为了证明将基于GaN的设备转移到外来基板的可行性.
主要方法:
- 在石墨烯层上GaN薄膜的异质上增长.
- 使用垂直对齐的氧化纳米墙作为中间缓冲层.
- 使用GaN在石墨烯结构制造发光二极管 (LED).
主要成果:
- 石墨烯上的GaN薄膜表现出出色的室温光学特性,包括刺激发射.
- 基于GaN的LED在室内照明下表现出强烈的电解发光.
- 石墨烯基底方便了GaN薄膜和LED轻松转移到玻璃,金属和塑料等各种基底.
结论:
- 石墨烯层层的板材可以制造可转移的GaN薄膜和LED.
- 开发的方法克服了基板的限制,为灵活的光电子学铺平了道路.
- 这种方法为先进的电子和光子设备应用提供了巨大的潜力.
