从固体碳来源中生长石墨烯
Zhengzong Sun1, Zheng Yan, Jun Yao
1Department of Chemistry, Rice University, 6100 Main Street, Houston, Texas 77005, USA.
Nature
|November 12, 2010
概括
研究人员开发了一种新方法,从固体碳来源中培养高质量的石墨烯. 这种技术克服了化学蒸汽沉积的局限性,使不同材料的石墨烯生产成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 固态化学 固态化学
背景情况:
- 2004年分离的单层石墨烯引起了大量的科学兴趣.
- 目前用于大规模石墨烯合成的方法,如化学蒸汽沉积 (CVD),仅限于气态碳来源.
- 原料多功能性的局限性阻碍了CVD种植的石墨烯的更广泛应用.
研究的目的:
- 开发一种用于合成大面积,高质量的石墨烯的多功能方法.
- 探索使用固体碳源来促进石墨烯生长.
- 为了使可控制的石墨烯厚度和兴奋剂.
主要方法:
- 在金属催化剂基板上使用固体碳来源 (聚合物薄膜,小分子) 的石墨烯合成.
- 在约800°C的低温加工.
- 一步成长过程适应原始石墨烯和合石墨烯.
主要成果:
- 从各种固体碳原料中成功生长大面积,高质量的石墨烯.
- 证明可控制的石墨烯厚度.
- 使用相同的设置实现了原始和杂石墨烯的合成.
- 在低至800°C的温度下实现生长.
结论:
- 开发的方法为石墨烯生产提供了传统CVD的多功能和高效的替代方案.
- 利用固体碳来源扩大了石墨烯合成潜在原料的范围.
- 这种方法促进了高质量可控石墨烯材料的可扩展生产.


