氧化:用于分子电子和纳米电子研究的非无辜表面
Jun Yao1, Lin Zhong, Douglas Natelson
1Applied Physics Program through the Department of Bioengineering, Rice University, 6100 Main Street, Houston, Texas 77005, United States.
Journal of the American Chemical Society
|December 24, 2010
概括
薄氧化 (SiO(x)) 层表现出复杂的电行为,如电阻切换和负差电阻. 这些现象往往被误认为是分子效应,在分解后源自SiO(x) 本身.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 氧化 (SiO(x)) 是电子产品中无处不在的材料,主要用作绝缘体和支层.
- 了解SiO (x) 的电特性对于可靠的设备性能和准确的实验结果解释至关重要.
研究的目的:
- 在薄薄的SiO (x) 层中研究和描述内在的电学现象.
- 为了区分来自SiO(x) 的电行为与电子系统中的其他纳米级组件.
主要方法:
- 制造薄薄的SiO (x) 层.
- 电气特性包括电流-电压 (I-V) 测量.
- 分析诸如电阻切换,非线性导电,电流歇斯底里,负差电阻等现象.
主要成果:
- 在薄薄的SiO (x) 层中展示电阻切换,非线性导电,电流歇斯底里和负差电阻.
- 观察到,这些电气行为是SiO的内在特性. 软分解后.
- 确定SiO(x) 导电作为纳米材料和分子电子学中错误归因现象的潜在来源.
结论:
- 薄的SiO(x) 层表现出复杂的电性,可以模仿其他先进材料的电性.
- 必须注意正确地归因观察到的电气现象,因为SiO (x) 本身可能是负责的,特别是在崩后的状态下.
- 这些发现需要重新评估包含SiO (x) 的系统中的电导机制.
