基于铜硫化物的高发光铜核/外纳米晶的高效合成,具有惊人的长寿命排放
Liang Li1, Anshu Pandey, Donald J Werder
1Center for Advanced Solar Photophysics, C-PCS, Chemistry Division, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, New Mexico 87545, United States.
Journal of the American Chemical Society
|January 7, 2011
概括
我们开发了铜硫化物 (CIS) 纳米晶的高效合成,实现了高产量和最小的浪费. 这些CIS纳米晶体的外涂层显著提高了它们的光发光量子效率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 摄影化学的使用.
背景情况:
- 铜硫化物 (CIS) 纳米晶体是光电子应用的有希望的材料.
- 开发高质量的CIS纳米晶的高效合成方法至关重要.
- 控制光发光特性是其技术使用的关键.
研究的目的:
- 报告铜硫化物纳米晶的高效合成.
- 调查增强其光发光特性的方法.
- 为了阐明它们发光背后的机制.
主要方法:
- 铜硫化物纳米晶体的合成.
- 过度生长的硫化 (CdS) 或硫化 (ZnS) 贝.
- 光发光谱学 (稳定状态和时间解析).
主要成果:
- 高效合成CIS纳米晶体,在克拉米尺度生产和90%以上的化学产量.
- 在可见光到近红外光谱中观察到强烈的光发光.
- 在CdS或ZnS外过度生长后,光发光的量子效率超过80%.
- 时间解析的研究表明,辐射起源于量子化电子状态与局部缺陷孔状态相结合的量子化电子状态.
结论:
- 开发的方法为高性能CIS纳米晶体提供了一个可扩展的途径.
- 通过外过度生长的表面被动化有效地增强光发光.
- 排放机制归因于纳米晶体内的与缺陷相关的光学转换.


