在高性能有机晶体管的单层石墨烯上面向表面的太烯分子组件
Wi Hyoung Lee1, Jaesung Park, Sung Hyun Sim
1Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Korea.
Journal of the American Chemical Society
|March 9, 2011
概括
石墨烯电极上的聚合物残留物令人惊地改善了有机电子. 这些残留物促进了五烯的最佳定位,提高了有机场效应晶体管 (OFET) 的场效应移动性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 有机电子 有机电子
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 石墨烯是有机电子设备的理想电极材料.
- 制造过程通常会在石墨烯表面留下聚合物残留物.
- 这些残留物对有机半导体生长的影响在很大程度上是未知的.
研究的目的:
- 研究聚合物残留物在石墨烯表面对有机半导体生长的影响.
- 了解这些残留物如何影响有机场效应晶体管 (OFET) 的分子组装和性能.
主要方法:
- 使用带有或没有聚合物残留的单层石墨烯电极制造五烯场效应晶体管 (FET).
- 分析石墨烯表面上五烯生长方向和分子组合的分析.
- 在制造的OFET中测量场效应的移动性.
主要成果:
- 石墨烯上的聚合物残留物诱导了五二烯的"站立"方向,优化了电荷传输的分子组合.
- 在石墨烯电极上含有聚合物残留的五烯FET实现了1.2cm2/Vs的高场效移动性.
- 没有残留的干净石墨烯表面促进了"躺下"的五烯结构,由于π-π相互作用阻碍了电荷传输.
结论:
- 石墨烯电极上的聚合物残留物在增强五烯OFET中的电荷传输方面发挥着至关重要的作用.
- 除了石墨烯的内在特性外,聚合物残留的"外在"效应也对观察到的高场效移动性负责.
- 可以利用残留物对表面的修改来优化有机半导体生长和设备性能.
