导向成长的毫米长的水平纳米线与控制的方向的指导成长
David Tsivion1, Mark Schvartzman, Ronit Popovitz-Biro
1Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science, Rehovot 76100, Israel.
Science (New York, N.Y.)
|August 20, 2011
概括
研究人员在蓝宝石表面上实现了对齐的化 (GaN) 纳米线的受控生长. 这些水平纳米线具有出色的结构和电子特性,使新的设备应用成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 定向纳米线的控制组装对于设备集成至关重要.
- 现有的方法在大规模的面向纳米线制造方面面临挑战.
- 化 (GaN) 纳米线提供有前途的电子和光学性能.
研究的目的:
- 报告一种生长对齐的,毫米长的,水平的GaN纳米线的方法.
- 为了研究基质晶体学定向对纳米线生长的影响.
- 描述这些水平生长的纳米线的结构,光学和电子特性.
主要方法:
- 蒸汽-液体-固体 (VLS) 的生长技术.
- 在蓝宝石基板的不同晶体平面上生长.
- 使用电子显微镜和衍射技术分析纳米线的方向,晶体对齐和分层.
- 评估结构缺陷和光电子特性.
主要成果:
- 实现了对齐的,毫米长的,水平的GaN纳米线,具有控制的晶体学方向.
- 证明生长方向和形态受基质平面和图形表皮质 (表面步骤/槽) 的影响.
- 水平生长的纳米线具有较低的结构缺陷密度.
- 光电子属性与垂直生长的GaN纳米线相当.
结论:
- 通过VLS方法,可以精确控制蓝宝石上水平GaN纳米线的方向和组装.
- 图形表皮质在引导纳米线沿着表面特征生长方面发挥着重要作用.
- 这些水平对齐的GaN纳米线具有高质量的结构和电子特性,为新型设备架构打开了大道.
