在基板上直立的石墨烯形成.
Qinghong Yuan1, Hong Hu, Junfeng Gao
1Institute of Textiles and Clothing, Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China.
Journal of the American Chemical Society
|September 6, 2011
概括
我们建议直立的石墨烯纳米带 (GNRs) 化学地与基板结合. 这些GNR保持了出色的电子和磁性特性,使亚纳米自旋电子设备和高密度微芯片成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 石墨烯纳米带 (GNRs) 是电子产品有前途的材料.
- 将GNR集成到基板上通常涉及维护其属性的挑战.
- 纳米结构的垂直集成是设备制造领域的一个新兴领域.
研究的目的:
- 提出并从理论上研究将石墨烯纳米带 (GNR) 集成到基板上的直立配置.
- 评估基板支直立GNR的可行性,机械强度和电子/磁性质.
- 探索直立GNR作为下一代电子和自旋电子设备的构建块的潜力.
主要方法:
- 使用广泛的ab initio计算来建模拟的GNR结构.
- 在基底边缘模拟GNR与基质的化学结合.
- 分析独立的和基板支持的GNR的电子和磁性特性.
主要成果:
- 证明了合成 (Ni) 和钻石支的直立GNR的可行性和机械稳定性.
- 展示了基板支的直立GNR保留了与独立的GNR可比的电子和磁性特性.
- 计算出直立的GNR提供了极小的足迹,非常适合小型化.
结论:
- 基板上的直立GNR是先进电子应用的可行和坚固的配置.
- 基板支持的GNR的独特特性为亚纳米自旋电子设备铺平了道路.
- 理论上可实现的场效应晶体管 (FET) 密度高达每厘米10~13) ~2) 突出了超高密度微芯片的潜力.
