金属少层VS2超薄纳米片:用于内平面超级电容器的高二维导电性
Jun Feng1, Xu Sun, Changzheng Wu
1Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, University of Science & Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, PR China.
Journal of the American Chemical Society
|September 29, 2011
概括
研究人员开发了超薄的二硫化物 (VS2) 纳米片,用于高性能内置超级电容器. 这些新的二维材料为灵活的电子产品提供了出色的导电性和稳定性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电化学 电化学 电化学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 便携式电子设备需要超薄,实用的电源.
- 飞机内超级电容器是灵活设备的新兴候选者.
- 现有的无机材料很难满足高性能电极的要求.
研究的目的:
- 开发一种新的二维 (2D) 材料,用于高性能飞机内超级电容器.
- 为了利用二硫化物 (VS2),因为它的金属性质和分层结构.
- 为了创建用于电极应用的超薄VS2纳米片.
主要方法:
- 使用氨辅助的策略来剥离大量VS2.
- 生产了不到五个S-V-S单层的超薄VS2纳米片.
- 高导电性VS2薄膜被组装成超级电容器电极.
主要成果:
- 一种新的二维金属材料VS2纳米片成功合成.
- 飞机内超级电容器是使用VS2薄膜构建的.
- 在150nm的配置中,获得了4760μF/cm的特定电容.
- 超级电容器在1000个循环后表现出极好的稳定性,没有降解.
结论:
- 超薄VS2纳米板是高性能飞机内超级电容器的一个有希望的材料.
- 氨辅助脱皮方法在生产二维VS2材料方面是有效的.
- 基于VS2的超级电容器为灵活电子产品中的电源提供了可行的解决方案.
