化无形的受限高压化学沉积
Neil F Baril1, Rongrui He, Todd D Day
1Department of Chemistry, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA.
Journal of the American Chemical Society
|December 14, 2011
概括
研究人员开发了一种使用微/纳米反应器生产高质量的化无形 (a-Si:H) 薄膜的新方法. 这种技术克服了以前的局限性,为先进的电子和光子应用提供了高效的沉积.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 化无形 (a-Si:H) 是一个重要的半导体材料.
- 生产高质量的a-Si:H需要克服低温沉积的动力障碍.
- 使用高度西兰的传统方法会导致颗粒形成,阻碍片质量.
研究的目的:
- 通过使用封闭的微/纳米反应器研究a-Si:H的新型沉积方法.
- 为了使高度的西兰能够用于高效的a-Si:H合成.
- 为了产生具有理想电子和光学特性的a-Si:H.
主要方法:
- 在封闭的微/纳米反应器中沉积化无形 (a-Si:H).
- 使用极端的尺寸比,小直径的光纤毛细血管模板.
- 使用高度的西兰 (SiH4) 的前体.
主要成果:
- 成功地沉积了发达的a-Si:H薄膜,使用比传统方法高得多的西兰度.
- 在光纤毛细体模板内制造的a-Si:H微/纳米线.
- 实现了大约0.5%原子的半导体材料,被动化悬浮键,以及良好的电子性能.
结论:
- 封闭的微/纳米反应器沉积克服了生产高质量的a-Si:H的挑战.
- 该方法允许高效合成具有优异性质的a-Si:H微/纳米线.
- 由此产生的a-Si:H材料适用于光子和电子应用,包括非线性光纤和太阳能电池.
