大规模的立方InN纳米晶体通过结合溶液和蒸汽相方法在二氧化限制下
Zhuo Chen1, Yanan Li, Chuanbao Cao
1Research Center of Materials Science, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, People's Republic of China. zchen@bit.edu.cn
Journal of the American Chemical Society
|January 10, 2012
概括
合成的立方化 (InN) 纳米晶体表现出卓越的晶体质量和红外光发光. 这一突破推动了光电子和生物学领域的InN应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 化 (InN) 是光电子应用的一个有前途的半导体.
- 实现高质量的InN,特别是在立方相中,仍然是一个挑战.
- 缺陷密度显著影响InN属性和设备性能.
研究的目的:
- 为了合成大规模的,单分散立方InN纳米晶体.
- 描述它们的结构,构成和光学特性.
- 评估它们对先进应用的潜力.
主要方法:
- 在二氧化限制下进行混合溶液和蒸汽相合成.
- 在有机溶剂中稳定分散的脱皮.
- 使用粉末X射线衍射 (PXRD),X射线光电子光谱 (XPS) 和能量分散光谱 (EDS) 的表征.
主要成果:
- 成功合成了几乎单分散的立方InN纳米晶体 (平均尺寸为5.7±0.6nm).
- 通过PXRD确认了高晶度和立方相.
- 在室温下观察到稳定的红外光发光 (~0.62 eV),表明缺陷密度低.
结论:
- 与其他方法相比,合成的立方InN纳米晶体具有更高的晶体质量.
- 观察到的红外光发光量与高质量的InN.的理论预测相一致.
- 这项工作为基于InN的增强红外光电子设备和生物应用铺平了道路.
