高发光的InP/GaP/ZnS纳米晶体及其应用于白色发光二极管的应用
Sungwoo Kim1, Taehoon Kim, Meejae Kang
1Department of Molecular Science and Technology, Ajou University, Suwon 443-749, Korea.
Journal of the American Chemical Society
|February 7, 2012
概括
合成了高度稳定和发光的酸/酸/硫化 (InP/GaP/ZnS) 量子点 (QD). 这些QD显示了白色QD-LED应用的增强稳定性和光学性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 量子点 (QD) 对光电子设备至关重要.
- 提高QD的稳定性和效率是一个持续的研究挑战.
- 基于酸 (InP) 的QD具有潜力,但需要表面被动化.
研究的目的:
- 为了合成高度稳定和发光的InP/GaP/ZnS核心/外量子点.
- 为了研究酸 (GaP) 外对InP QD特性的影响.
- 为了评估这些QD在白色QD-LED中的性能.
主要方法:
- 在现场合成InP/GaP/ZnS核心/外量子点.
- 时间相关的单光子计数 (TCSPC) 用于外证据.
- 在各种QD度下制造和光学表征白色QD-LED.
主要成果:
- 合成的InP/GaP/ZnS QD实现了85%的最大量子产量.
- P外有效地被动化了InP核心,减少了表面陷.
- 与InP/GaP/ZnS QD相比,InP/GaP/ZnS QD表现出更高的稳定性.与InP/ZnS QD相比,InP/GaP/ZnS QD表现出更高的稳定性.
- 白色QD-LED中的最佳QD度 (0.5毫升) 产生了54.71lm/W的光效率,Ra为80.56,CCT为7864K.
结论:
- 在现场方法成功地产生了稳定高效的InP/GaP/ZnS QDs.
- GaP外对于提高QD稳定性和光学性能至关重要.
- 这些QD显示出对高性能白色QD-LED应用的显著前景.


