零价值铜的高密度化学介质成Bi2Se3纳米带

Kristie J Koski1, Judy J Cha, Bryan W Reed

  • 1Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA.

概括

研究人员开发了一种新方法,可以在不造成结构损坏的情况下将大量的铜插入到木化物纳米带中. 这一突破使得多层材料中铜密度达到前所未有的水平,超过了以前的度限制.

相关概念视频