在CdSe纳米板块的表面依赖,联体介导的光化学蚀刻
Sung Jun Lim1, Wonjung Kim, Seung Koo Shin
1Bio-Nanotechnology Center, Department of Chemistry, Pohang University of Science and Technology, San 31, Hyoja-dong, Nam-gu, Pohang, Kyungbuk 790-784, Korea.
Journal of the American Chemical Society
|May 1, 2012
概括
表面化学决定了化纳米板块中的光化学蚀刻. 氨基化表面表现出更快的蚀刻和均的穿孔,与碳酸盐化表面不同,显示出联体介导的反应性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 摄影化学的使用.
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 化 (CdSe) 纳米板块表现出量子束效应.
- 表面连接体在纳米晶体的特性和反应性中起着至关重要的作用.
- 了解光化学蚀刻是控制纳米晶体形态和功能的关键.
研究的目的:
- 研究CdSe纳米板块的表面化学和它们的光化学蚀刻行为之间的关系.
- 阐明不同的晶体结构 (石和混合物) 和表面被动化如何影响蚀刻动力学和图案.
- 为了将表面被动化与CdSe纳米板块中激子的光化学活性相关联.
主要方法:
- 合成CdSe纳米板块与 (W) 和混合 (ZB) 格子使用特定的连接物混合物.
- 在波段边缘辐射下,在甲中分散的纳米板块的光化学蚀刻.
- 使用紫外线对吸收光谱学和传输电子显微镜对蚀刻现象的描述.
主要成果:
- 无论是W和ZB CdSe纳米板块都显示出一维的激发子限制.
- W CdSe纳米板块的蚀刻速度明显快于ZB纳米板块.
- W纳米板块在平面表面显示均的穿孔,而ZB纳米板块在角落和边缘经历了侵蚀.
- 发现氨酸被动化表面具有光化学活性,与碳酸盐被动化表面相反.
结论:
- 在合成期间的连接物选择决定了晶体结构和表面被动化,介于光化学蚀刻.
- 在三价原子上的氨基被动化促进了平面表面高效的光化学蚀刻.
- 在双价原子上的碳酸盐被动化导致蚀刻速度较慢,主要是在边缘和角落.
- 表面依赖的光化学蚀刻为控制纳米晶体形态提供了一条途径.
