探索性燃烧合成:用于薄膜晶体管的无形氧化
Jonathan W Hennek1, Myung-Gil Kim, Mercouri G Kanatzidis
1Department of Chemistry and the Materials Research Center, Northwestern University, 2145 North Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208, USA.
Journal of the American Chemical Society
|May 26, 2012
概括
研究人员使用低温溶液工艺开发了无形的氧化物 (a-IYO) 薄膜晶体管 (TFT). 这些新的a-IYO TFT显示出有希望的电子流动性,用于低压操作.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电子工程 电子工程
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 薄膜晶体管 (TFT) 是现代电子显示器和设备中的关键组件.
- 开发用于TFT的新型半导体材料对于提高设备性能和实现新应用是必不可少的.
- 无形氧化物 (a-IYO) 由于其独特的电子特性,具有作为半导体材料的潜力.
研究的目的:
- 实现无形的氧化物 (a-IYO) 作为薄膜晶体管 (TFT) 的半导体材料.
- 研究一种低温溶液工艺,用于种植IYO薄膜.
- 描述a-IYO薄膜的特性和制造TFT的性能.
主要方法:
- 无形和多晶IYO薄膜使用低温溶液工艺与外热前体合成.
- 材料表征涉及差异热分析,热重量测量分析,X射线衍射,原子力显微镜,X射线光电子谱学和光传输.
- a-IYO TFTs是使用混合纳米电压制造的,并评估了它们的电性能.
主要成果:
- 溶液过程使其能够有效地转化为金属氧化物格子,产生光滑透明的IOO薄膜.
- 在300°C冷的a-IYO TFT实现了7.3cm(2) V(-1) s(-1) 的电子运动.
- 在250°C冷的TFT显示电子流动性为5.0cm(2) V(-1) s(-1),两者都在2V工作.
结论:
- 低温溶液工艺对于制造无形氧化 (a-IYO) 薄膜晶体管 (TFT) 是有效的.
- 开发的a-IYO TFTs在低压应用中表现出具有竞争力的电子流动性.
- 这项工作突出了解决方案处理的a-IYO作为未来电子设备的可行半导体的潜力.
