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Updated: May 22, 2026
08:58
Seedless Growth of Bismuth Nanowire Array via Vacuum Thermal Evaporation
Published on: December 21, 2015
在 (111) 导向和纳米双胞胎铜上微的单向生长
Hsiang-Yao Hsiao1, Chien-Min Liu, Han-wen Lin
1Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China.
Science (New York, N.Y.)
|May 26, 2012
概括
制造了具有纳米双胞胎的高度定向的[111]铜 (Cu) 粒. 这使得3D集成电路中金属间的受控生长成为可能,并减少接过程中空隙的形成.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 三维集成电路 (3D IC) 包装需要可靠的互连.
- 在反应期间,铜-锡 (Cu-Sn) 接口上形成空隙会降低性能.
- 在铜 (Cu) 互连中控制微结构对于先进的包装至关重要.
研究的目的:
- 使用直流电制造使用纳米双胞胎制造高度定向的[111]铜粒.
- 为了研究纳米双胞胎铜 (nt-Cu) 对Cu(6) Sn(5) 间金属的生长的影响.
- 评估nt-Cu在接反应期间减轻空隙形成中的作用.
主要方法:
- 直接电流电与一个高速率.
- 制造高度定向的[111] Cu颗粒与密集的纳米双胞胎.
- 在微中分析Cu-Sn金属间的微结构分析.
- 研究空洞形成机制.
主要成果:
- 成功地制造出高度定向的[111]Cu颗粒与密集的纳米双胞胎.
- 在微积分中实现了Cu(6)Sn(5) 间金属的单向生长.
- 在众多微型中获得了带有控制方向的均微观结构.
- 证明高密度双边界在nt-Cu中充当空缺水槽,显著减少Kirkendall空洞形成.
结论:
- 带有[111]方向的纳米双联铜 (nt-Cu) 是3DIC包装的一个有希望的材料.
- 控制的微观结构和nt-Cu的空隙减少能力提高了互连可靠性.
- 这种制造方法为统一而坚固的微电子包装提供了途径.
