利用光电流过渡物用于基于dithiolene的光检测:在通信相关波长的逐步改进
Simon Dalgleish1, Michio M Matsushita, Laigui Hu
1Department of Chemistry and Research Centre for Materials Science, Nagoya University, Chikusa, Nagoya, Japan. dalgleish.simon.john@j.mbox.nagoya-u.ac.jp
Journal of the American Chemical Society
|June 27, 2012
概括
研究人员使用金属/绝缘体/半导体/金属 (MISM) 结构中的bis-{4-dimethylaminodithiobenzil) -Ni{II) (BDN) 增强了近红外光检测. 这种MISM设计可以增强光电流并实现高频光通信,实现超出光二极管限制的高检测性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 金属滴烯,如 bis-(4-dimethylaminodithiobenzil) -Ni(II) (BDN),表现出强烈的近红外吸收.
- 之前的应用受到低电荷载体移动性和短激发寿命的限制.
研究的目的:
- 研究使用BDN在金属/绝缘体/半导体/金属 (MISM) 结构中的光检测.
- 提高近红外应用的光电流响应和检测能力.
- 探索适用于高频光通信的适用性.
主要方法:
- 制造一个包含BDN的MISM设备.
- 将纳米结构的碳黑纳入dithiolene层.
- 在不同的光照条件下对光电流响应和检测能力的表征.
主要成果:
- 与没有绝缘层的设备相比,MISM结构增加了高达50倍的峰值光电流.
- 短暂的光响应使得可以检测到高达1MHz的周期光信号.
- 用碳黑进行纳米结构,在超出光电极的波长下,可产生高达1.6 × 10^11 斯的检测能力.
结论:
- 基于BDN的MISM架构显著提高了基于BDN的光检测性能.
- 开发的光电探测器适用于高频光通信.
- 这种方法有助于在先进的光电子应用中利用金属二硫.
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