在化表面上的白金纳米颗粒:半导体兴奋剂对纳米颗粒活性的影响
Susanne Schäfer1, Sonja A Wyrzgol, Roberta Caterino
1Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Garching, Germany.
Journal of the American Chemical Society
|June 29, 2012
概括
在化 (GaN) 上的纳米颗粒显示了依赖于兴奋剂的氧化. N型GaN增强了的氧化,这表明GaN增强了的氧化.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面化学 表面化学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 纳米粒子 (Pt NPs) 是重要的催化剂.
- 化 (GaN) 是一种带宽隙半导体,具有潜在的催化应用.
- 通过与支器的电子交互来控制催化活性是一个活跃的研究领域.
研究的目的:
- 在n型和p型化 (GaN) 上支持的纳米颗粒的研究.
- 通过半导体-纳米粒子相互作用探索催化活动的电子控制.
- 了解 GaN 兴奋剂对 Pt NP 化学状态和氧 afinity 的影响.
主要方法:
- 在现场氧化和还原研究.
- 高压光辐射光谱学.
- 利用X射线辐射探测电子相互作用.
主要成果:
- GaN 兴奋剂的类型显著影响受支持的 Pt NPs 的化学组成和氧 afinity.
- 在n型GaN上的Pt NPs表现出比p型GaN的氧化表面原子的比重更高.
- 在氧气下观察到Pt NPs在n型GaN上的立即氧化,而p型GaN的氧化最小.
结论:
- 在Pt NPs中X射线辐射诱导的化学状态变化取决于GaN注.
- 强烈的相互作用,包括电荷转移,发生在GaN-Pt NP接口.
- 化是一种有前途的宽带隙支材料,用于光催化和催化电子控制.
