基于有机场效应晶体管的高灵敏度NH3检测,其受体为三 (pentafluorophenyl)
Weiguo Huang1, Kalpana Besar, Rachel LeCover
1Department of Materials Science and Engineering, Johns Hopkins University, 206 Maryland Hall, 3400 North Charles Street, Baltimore, Maryland 21218, USA.
Journal of the American Chemical Society
|September 1, 2012
概括
研究人员使用三五二 (TPFB) 增强了有机场效应晶体管 (OFET) 氨 (NH3) 检测. 这一突破在基于半导体的气体传感器中实现了前所未有的灵敏度和内存效果.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 化学传感器 化学传感器
- 有机电子 有机电子
背景情况:
- 有机场效应晶体管 (OFET) 对气体传感应用具有前景.
- 提高基于OFET的传感器的灵敏度和选择性仍然是一个关键的挑战.
- 氨 (NH3) 检测对于环境监测和工业安全至关重要.
研究的目的:
- 为了增强有机场效应晶体管 (OFET) 的氨 (NH3) 反应.
- 为了研究三 (pentafluorophenyl) (TPFB) 作为受体添加物的作用.
- 评估修改后的OFET的灵敏度,选择性和记忆特性.
主要方法:
- 在OFET半导体层中加入三五甲 (TPFB).
- 测试OFET对不同度的氨 (NH3) 的反应.
- 使用三甲 (TPM) 或三博 (TFB) 添加剂与OFET进行比较分析.
- 对常见有机蒸汽的选择性和长期储存稳定性的评估.
- 通过在低温 (-30°C) 中存储暴露器件来评估暴露记忆.
主要成果:
- 使用TPFB添加剂的OFET达到NH3的检测极限为350ppb,这是半导体薄膜中报告的最高值.
- 可靠地检测到NH3的度为450ppbv/v.
- TPM和TFB添加剂没有显著改善灵敏度.
- 经过TPFB修改的OFET对常见的有机蒸气具有很好的选择性.
- 这些设备在储存期间表现出相当大的稳定性.
- 通过将设备存储在-30°C的温度下,可以实现对曝光的优异记忆,这是OFETs的一个新的能力.
结论:
- 三五甲 (TPFB) 显著提高了有机场效应晶体管 (OFET) 对于氨 (NH3) 检测的灵敏度.
- 这些TPFB功能化的OFET代表了基于半导体的气体传感性能的新基准.
- 展示的存储内存能力为先进的传感器应用开辟了新的途径.

