在室温下,纳米晶体碳化在Si(111) 上的Epitaxy在室温下
Roberto Verucchi1, Lucrezia Aversa, Marco V Nardi
1Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo, IMEM-CNR, Sezione FBK di Trento, 38123 Trento, Italy. roberto.verucchi@cnr.it
Journal of the American Chemical Society
|October 13, 2012
概括
研究人员在室温下使用超声波波束实现了碳化 (SiC) 合成. 这一突破使SiC沉积在温度敏感材料上成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 碳化 (SiC) 具有独特的特性,对先进技术有价值.
- 高温合成是广泛应用SiC的重要限制.
- 开发低温合成方法对于扩大SiC利用至关重要.
研究的目的:
- 为了证明在室温下在上表氧化合成3C-SiC的可行性.
- 用一种新的超音速光束技术研究SiC形成的机制.
- 为了克服传统SiC合成的热限制.
主要方法:
- 使用巴克明斯特富勒伦 (C(60) 超音速光束进行前体输送.
- 使用动能值 (30-35 eV) 来激活C60) 分离.
- 进行实验和理论分析以确认3C-SiC的表性.
主要成果:
- 在上实现了前所未有的3C-SiC室温表.
- 确定了C60) 破裂和SiC形成的临界动能.
- 证明化学过程可以远离热力学平衡被激活.
结论:
- 室温SiC表是可能使用高能C60) 束.
- 这种方法克服了传统SiC合成的高温限制.
- 开辟了像聚合物这样的温度敏感基板上SiC沉积的可能性.
