III-V

Brandon J Beberwyck1, A Paul Alivisatos

  • 1Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, California 94720, United States.

概括

合成高质量的III-V纳米晶体是一个挑战. 这项研究表明,基化物纳米晶体上的阴离子交换会产生单分散,晶体III-V材料,如GaAs和InAs.