从合油墨中低温加工的Ga-合的ZnO涂层
Enrico Della Gaspera1, Marco Bersani, Michela Cittadini
1Dipartimento di Ingegneria Industriale, Università di Padova, Via Marzolo, 9, 35131 Padova, Italy.
Journal of the American Chemical Society
|February 12, 2013
概括
我们开发了胺氧化纳米晶体,用于透明的导电膜. 这些材料具有可见透明度和近红外吸收,为氧化提供了一个有希望的替代品.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 透明导电膜 (TCF) 对光电子设备至关重要.
- 氧化 (ITO) 是主要的TCF材料,但面临成本和稀缺问题.
- 开发具有可比性能的替代TCF是非常可取的.
研究的目的:
- 通过合剂方法合成氧化物 (Ga-ZnO) 纳米晶体.
- 研究兴奋剂对ZnO纳米晶体光学和电学特性的影响.
- 展示Ga-ZnO纳米晶体在制造高性能TCF中的潜力.
主要方法:
- 通过前体的热分解合成Ga-ZnO纳米晶体的合合成.
- 纳米晶体属性的表征,包括光学传输和红外吸收.
- 使用旋转涂层,滴和喷涂涂层制造薄膜.
- 沉积后处理,包括紫外线暴露和减少大气中的回火.
主要成果:
- Ga-ZnO纳米晶体具有可调节的特性,其含量不同.
- 替代的Ga(3+) 离子在近红外线中诱导等离子共振,原因是自由电子度增加.
- 沉积膜显示>90%的可见光谱光学传输,并保持近红外吸收.
- 薄膜的电阻在回火后从30 kΩ/平方降至300 Ω/平方,与ITO相比.
结论:
- 体合成提供了一个可扩展的Ga-ZnO纳米晶体的途径.
- Ga-ZnO纳米晶体是下一代透明导电膜的有希望的候选者.
- 开发的Ga-ZnO薄膜为ITO提供了一个可行的,潜在的低成本替代方案.
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