通过范德瓦尔斯的表层氧化 (epitaxy) 来控制原子薄的In2Se3片的生长
1Center for Nanochemistry, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences (BNLMS), State Key Laboratory for Structural Chemistry of Unstable and Stable Species, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University , Beijing 100871, P. R. China.
Journal of the American Chemical Society
|August 28, 2013
概括
研究人员开发了一种控制合成原子薄的化 (In2Se3) 片的方法. 这些片表现出可调节的导电性和高效的光响应,使新的电子和光电子设备成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 对原子薄III-VI半导体的控制合成对于先进的电子,光电子和能源应用至关重要.
- 现有的方法在生产高质量,精确控制的半导体材料方面面临挑战.
研究的目的:
- 开发用于单层和几层化 (In2Se3) 片的受控合成方法.
- 为了研究生长条件对In2Se3片的特性的影响.
- 探索合成In2Se3片在电子设备中的潜在应用.
主要方法:
- 范德瓦尔斯的表被用于合成像石墨烯和这样的基板上的In2Se3片.
- 生长条件被系统地调整,以控制片的厚度,方向,核和晶体阶段.
- 使用半导体In2Se3片制造场效应晶体管 (FET).
主要成果:
- 成功合成了具有控制厚度,方向和晶相的原子薄的In2Se3片.
- In2Se3 片表现出可调节的电气特性,显示基于晶体结构的半导体或金属行为.
- 由半导体In2Se3制造的场效应晶体管显示出高效的光响应.
结论:
- 控制的范德瓦尔斯表可以精确合成具有不同电性质的In2Se3片.
- 半导体In2Se3片的高效光响应性为光探测器应用开辟了道路.
- 这些发现为新型相变内存设备和其他先进的电子应用铺平了道路.
