纳米线上的选择性增长产生了多元件纳米结构和光子设备
Thomas J Kempa1, Sun-Kyung Kim, Robert W Day
1Department of Chemistry and Chemical Biology and ‡School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University , Cambridge, Massachusetts 02138, United States.
Journal of the American Chemical Society
|November 28, 2013
概括
研究人员开发了一种用于区域选择性纳米线外合成的新方法,可以对先进的纳米尺度设备的纳米结构组成和形态进行精确的控制.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 具有可控制形态和组成的半导体纳米线对于先进的纳米级设备至关重要.
- 目前的合成方法对纳米结构自由度的控制有限,阻碍了新功能的开发.
研究的目的:
- 为了证明区域选择性的纳米线外合成,可以控制超过两个结构自由度.
- 开发一种方法来创建具有可调节性质的多元件纳米结构,用于催化和光检测中的应用.
主要方法:
- 区域选择性 (Ge) 和 (Si) 贝生长在面状纳米线表面.
- 在现场控制晶体Ge沉积和面部定位.
- 将溶液溶解物种,如金 (Au) 纳米粒子,纳入合成的纳米腔.
主要成果:
- 实现了第一个区域选择性纳米线外合成的演示.
- 成功控制了晶体Ge沉积及其面状位置在现场.
- 在多元组件纳米结构中创建了可电地址的纳米腔.
结论:
- 开发的方法使得精确的合成控制纳米结构形态,晶体结构和组成.
- 这种方法为设计具有独特光子特性的功能纳米结构开辟了新的途径.
- 合成的多元件纳米结构为未来的催化和光检测应用提供了一个复杂的平台.
