分离子格子域在化石墨烯中分离
Amir Zabet-Khosousi1, Liuyan Zhao, Lucia Pálová
1Department of Chemistry, Columbia University , New York, New York 10027, United States.
Journal of the American Chemical Society
|January 8, 2014
概括
石墨烯中的兴奋剂在通过化学蒸汽沉积 (CVD) 增长时形成独特的亚晶格域,与合成后兴奋剂的随机分布不同. 这种受控的兴奋剂会影响电子特性和频段间隔调.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 原子水平的剂分布对于调整材料特性至关重要.
- 了解合石墨烯中子晶格占用率对于电子应用来说至关重要.
研究的目的:
- 为了研究在石墨烯中胺剂的亚晶格分布.
- 为了比较兴奋剂策略及其对兴奋剂安排的影响.
- 探索子格子对称性破坏对石墨烯电子性质的影响.
主要方法:
- 扫描道显微镜 (STM) 用于原子级成像.
- 化学蒸汽沉积 (CVD) 使用铜上的化用于石墨烯合成.
- 合成后对原始石墨烯进行了兴奋剂.
- 机制归因的理论计算.
主要成果:
- 通过化学蒸汽沉积 (CVD) 培养的受的石墨烯在同一子网中表现出分离良好的剂域 (>100 nm).
- 合成后的兴奋剂导致兴奋剂在子网之间随机分布.
- 理论计算表明,在心血管疾病生长过程中,在石墨烯边缘部位上有偏好的附着.
结论:
- 增长方法决定了石墨烯中多子子网格的占用率.
- 控制的子晶格合破坏了对称性,为电子应用提供了可调节带间隙.
- 这项研究为基于石墨烯的先进电子产品提供了精确的兴奋剂控制的见解.


