氧化物纳米颗粒2nm电流膜的电子导电性
Kwok-Fan Chow1, Tessa M Carducci, Royce W Murray
1Department of Chemistry, University of Massachusetts Lowell , Lowell, Massachusetts 01854, United States.
Journal of the American Chemical Society
|February 26, 2014
概括
氧化 (IrO(x)) 纳米粒子薄膜中的电子导电性取决于氧化状态. 较高的氧化状态 (+4/+5) 产生较高的导电性,而减少的Ir(III) 状态显著降低导电性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电化学 电化学 电化学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 氧化 (IrO(x)) 纳米粒子 (NP) 薄膜正在研究它们的电子特性.
- 这些薄膜的电子导电性对的氧化状态敏感.
- 纳米粒子大小大约为2nm.
研究的目的:
- 研究氧化物纳米颗粒的氧化状态与其薄膜的电子导电性之间的关系.
- 通过电化学调节氧化状态来确定可实现的导电范围.
主要方法:
- 氧化 (IrO(x)) 纳米粒子 (NP) 的电化学转化到各种氧化状态 (Ir(III) 到Ir(V)).
- 测量NP薄膜在不同氧化状态上的明显电子导电性.
主要成果:
- 由IrO(x) NPs组成的膜在NPs处于氧化+4/+5状态时表现出高的表面导电性 (例如,10(-2) S cm(-1)) .
- 将薄膜完全减小到Ir (III) 状态时,表面导电率显著下降到10 (−6) S cm (−1).
- 导电性在很大程度上取决于薄膜的氧化状态.
结论:
- 氧化纳米颗粒膜的电子导电性可以通过控制氧化的氧化状态来有效调节.
- 氧化状态 (+4/+5) 对于这些材料的高导电性至关重要.
- 这种可调性为需要可变电子特性的应用提供了潜力.
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