单晶单层石墨烯在可重复使用的终结上晶圆尺度的生长
Jae-Hyun Lee1, Eun Kyung Lee, Won-Jae Joo
1SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon 440-746, Korea.
Science (New York, N.Y.)
|April 5, 2014
概括
晶圆尺度,没有纹的单晶石墨烯现在可以在晶圆上制造. 这一突破利用缓冲层来控制生长和轻松转移,为先进的石墨烯设备铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 对于商业应用而言,大面积的单晶石墨烯均生长至关重要.
- 目前的方法在实现无缺陷的晶圆规模生产方面面临挑战.
研究的目的:
- 开发一种用于晶圆尺度,无纹单晶石墨烯生长的方法.
- 为了使可持续的石墨烯制造能够轻松转移和基板循环利用.
主要方法:
- 在晶片上使用终结的 (110) 缓冲层.
- 利用表面的异构对称性进行单向的种子对齐.
- 开发了对石墨烯的无蚀刻干转移工艺.
主要成果:
- 实现了无纹单晶单层石墨烯晶圆尺度的生长.
- 证明了具有预定义方向的石墨烯种子的单向对齐和合并.
- 在没有蚀刻的情况下成功转移了石墨烯,并回收了基板.
结论:
- 缓冲层方法克服了石墨烯制造中的关键挑战.
- 这种技术有助于将基于石墨烯的电子和光子设备商业化.
- 能够实现高质量的石墨烯的可持续和经济高效的生产.
