垂直对齐的碳纳米管阵列的晶圆尺度转移
Miao Wang1, Taotao Li, Yagang Yao
1Key Lab of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences , Suzhou 215123, China.
Journal of the American Chemical Society
|December 10, 2014
概括
弱氧化使垂直对齐的碳纳米管 (VACNTs) 能够进行可控的大规模转移,用于热接口材料. 这种方法保持了VACNT质量,并促进了重复合成,增强了热和机械性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 垂直对齐的碳纳米管 (VACNTs) 对先进的热接口材料至关重要.
- 从生长基板中大规模转移VACNT仍然是实际应用的重大挑战.
研究的目的:
- 开发一种可控和高效的方法来传输VACNTs.
- 为了实现基于VACNT的热管理解决方案的可扩展生产.
主要方法:
- 控制VACNTs的弱氧化,以促进从生长基质脱离.
- 在目标基板上组装独立的VACNT薄膜.
- 使用改性化学蒸汽沉积 (CVD) 进行重复生长转移合成.
- 使用反应性离子蚀刻 (RIE) 和金属化进行转移后表面处理.
主要成果:
- 通过弱氧化实现了VACNTs的容易分离和转移,产生独立的薄膜.
- 在单一批次中证明了成功的重复生长转移合成.
- 在氧化后使用TGA和拉曼光谱学证实VACNT质量没有降解.
- 在RIE和金属化后观察到增强的热和机械性能,归因于杂质的去除.
结论:
- 弱氧化辅助转移为VACNT制造提供了一种高效和可扩展的方法.
- 该方法保留了VACNTs的内在质量.
- 这种技术对于推进热管理中的VACNT应用至关重要.
