大面积合成高质量统一的少层MoTe2
Lin Zhou1, Kai Xu1,2, Ahmad Zubair1
1Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology , Cambridge, Massachusetts 02139, United States.
Journal of the American Chemical Society
|August 26, 2015
概括
我们开发了一种化学蒸汽沉积方法来合成大面积的二化物 (MoTe2) 薄膜. 这种技术可用于先进的纳米电子和光电子生产均,高度晶体的MoTe2.
科学领域:
- 材料科学
- 凝聚物质物理学
- 纳米技术
背景情况:
- 原子薄的二化物 (MoTe2) 对新兴应用具有吸引力的特性.
- 控制大面积MoTe2晶体的合成对于其实际使用至关重要.
研究的目的:
- 开发一种化学蒸汽沉积 (CVD) 合成方法,用于大面积,均和高度结晶的少层MoTe2膜.
- 在合成过程中研究MoTe2 (2H和1T') 的相控.
- 评估合成的MoTe2膜的电子特性.
主要方法:
- 化学蒸汽沉积 (CVD) 合成
- 通过选择不同的前体进行相位控制.
- 薄膜结晶性和电子性质的表征
主要成果:
- 实现了大面积,均,高度结晶的少层2H和1T'MoTe2膜.
- 证明Mo前体的选择决定了MoTe2阶段.
- 合成的2H MoTe2薄膜具有与剥皮薄片相似的电子特性.
结论:
- 开发的CVD方法可以控制大面积MoTe2的合成.
- 这种技术有助于MoTe2在高性能纳米电子和光电子领域的大规模应用.
