Fermi Level
Fermi Level Dynamics
Non-ohmic Devices
Resistance
Resistivity
Metal-Semiconductor Junctions
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Xiao Lin1, Benoît Fauqué1, Kamran Behnia2
1Laboratoire de Physique et Etude des Matériaux (CNRS/UPMC), Ecole Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles, 10 Rue Vauquelin, F-75005 Paris, France.
在酸 (SrTiO3) 中的电子-电子散射会引起T(2) 的电阻. 研究人员调整了载体度以改变这种T(2) 行为,揭示了目前关于费米液体的理论上的差距.
11:33All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics
Published on: January 19, 2018
09:06Visualizing Uniaxial-strain Manipulation of Antiferromagnetic Domains in Fe1+YTe Using a Spin-polarized Scanning Tunneling Microscope
Published on: March 24, 2019
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: