碳水化合物辅助燃烧合成实现高性能氧化物晶体管
Binghao Wang1,2, Li Zeng3, Wei Huang1
1Department of Chemistry and the Materials Research Center, Northwestern University , 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208, United States.
Journal of the American Chemical Society
|May 12, 2016
概括
环保的碳水化合物可以增强--锡-氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 制造. 这种燃烧合成方法提高了高性能TFT的载体移动性和稳定性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 设备工程 设备工程
背景情况:
- 无形金属氧化物半导体 (AOSs) 在薄膜晶体管 (TFT) 中比无形 (a-Si:H) 和低温聚 (LTPS) 具有优势.
- 溶液处理的--锡氧化物 (IGZO) TFTs虽然有希望,但与喷雾版本相比,它们在载体移动性和偏向应力稳定性方面存在局限性.
研究的目的:
- 研究使用环境良好的碳水化合物作为燃料用于IGZO薄膜的燃烧合成.
- 为了提高解决方案处理的IGZO TFT的性能,特别是载体移动性和偏向应力稳定性.
主要方法:
- 使用卜醇,糖糖和葡萄糖作为燃料的IGZO薄膜的燃烧合成.
- 在SiO2/Si门介电材料上的IGZO薄膜晶体管 (TFT) 的制造和表征.
- 分析碳水化合物在燃烧过程中的作用,包括点火值温度和反应度.
主要成果:
- 碳水化合物有效地降低了点火值温度,并在IGZO膜燃烧合成过程中增强了反应度.
- 在SiO2/Si门介电器上实现了超过8厘米的IGZO TFT移动性.
- 在制造的IGZO TFT中显著改善了偏向应力稳定性.
结论:
- 对环境无害的碳水化合物是IGZO薄膜燃烧合成的高效燃料,导致高性能TFT.
- 在前体燃烧度和无形金属氧化物 (a-MO) 密度和电荷传输之间建立了相关性.
- 这种方法为克服解决方案处理IGZO TFTs的局限性提供了一条途径.
